이미지 크게보기 지난달 20일 경기 평택시 삼성전자 반도체공장을 방문한 윤석열 대통령과 조 바이든 미국 대통령이 사인을 한 세계 최초 3나노 반도체 시제품. 연합뉴스

삼성전자가 3나노미터(㎚·10억 분의 1m) 파운드리(반도체 위탁생산) 공정 양산에 돌입했다고 30일 밝혔다. 3나노 공정이 적용된 반도체를 만들어 제품으로 공급하는 건 삼성이 최초다.

글로벌 반도체 기업들의 초미세 공정 경쟁이 갈수록 격화하고 있는 가운데, 업계에서는 삼성이 업계 선두인 대만의 TSMC를 따라잡을 수 있는 중요한 발판을 마련했다는 평가가 나온다.

이번에 삼성전자는 세계 최초로 ‘GAA(Gate-All-Around)’ 기술을 적용한 3나노 파운드리 공정 기반의 초도 양산을 시작했다. 3나노 공정은 반도체 제조 공정 가운데 가장 앞선 기술이다. 지난달 조 바이든 미국 대통령이 삼성전자 평택공장을 찾았을 때 GAA 기반 3나노 시제품에 서명할 정도로 전 세계적인 관심을 받은 바 있다.

3나노 공정은 반도체 회로 선폭이 머리카락 굵기의 10만 분의 3 수준에 불과하다. 반도체에서 ‘나노’는 회로의 선폭을 의미하는데, 선폭이 좁을수록 고효율·고성능의 반도체를 만들 수 있다. 또한, 한 웨이퍼에서 더 많은 칩을 제조할 수 있는 만큼 생산성 역시 올라간다.

삼성전자가 3나노 양산에 본격 돌입하면서 TSMC보다 초미세공정 기술력에서 한발 앞서게 됐다는 평가가 나온다. 특히 업계에서는 이번 양산을 계기로 삼성이 첨단 기술 서비스를 이용하고 싶어 하는 미국·유럽 대형 고객사를 확보하는 데 유리한 고지를 점할 수 있을 것으로 보고 있다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 TSMC의 올해 1분기 파운드리 시장 점유율은 53.6%, 삼성전자는 16.3%인 것으로 집계됐다.

삼성전자 관계자는 “파트너들과 함께 3나노 공정 기반의 반도체 설계 인프라·서비스를 제공함으로써, 고객들이 이른 시간에 제품 완성도를 높일 수 있도록 시스템을 강화해 나갈 계획”이라고 말했다.

장병철 기자 jjangbeng@munhwa.com