■ 복합위기, 초격차 혁신으로 뚫어라!

시설투자액은 12.1조
반도체 비중 82% 달해

삼성전자가 올해 2분기 연구·개발(R&D)에 사상 최대인 8조500억 원을 집행하며 역대 분기 투자 최고치를 또 한 번 경신했다. 특히 반도체 부문 시설 투자에만 전체 시설투자액의 82%에 달하는 9조9000억 원을 투입했다. 미·중 갈등 심화에 따른 지정학적 대외 리스크를 비롯해 최근 메모리 업황 회복을 이끈 인공지능(AI) 열풍에 대한 회의적 시각이 나오는 등 안팎의 도전에도 ‘초격차 기술력’ 확보를 위한 공격 경영을 멈추지 않고 있다.

13일 업계에 따르면, 삼성전자의 R&D 투자 금액은 국내 전체 R&D 투자의 절반가량을 차지하고 있다. 특히 상당 부분을 차세대 반도체 경쟁력 확보를 위해 R&D·시설투자에 집중하고 있다. 올해 2분기만 해도 R&D 투자액을 직전 분기보다 2300억 원 증액했다. 규모론 4분기 연속 최대치를 경신한 셈이다.

시설투자액 역시 전 분기 대비 8000억 원 늘어난 12조1000억 원이 집행됐다. 또 신입 공채 외에도 국내 경력직, 우수 외국인 유학생 채용을 병행하며 인재 확보를 통한 R&D 경쟁력 강화에도 매진하고 있다.

재계 관계자는 “삼성전자의 이 같은 공격적 행보는 반도체 시장이 ‘규모의 경제’가 작동하는 만큼 투자 시기를 놓쳐 뒤처지는 것보다 과감한 투자를 통해 진입장벽을 높일수록 업계를 선도할 수 있다는 판단이 작용한 것”이라고 말했다. 불황으로 전 세계 기업들이 투자를 주저했던 1990년 당시에도 삼성전자는 되레 300㎜(12인치) 웨이퍼 ‘선행 투자’라는 특단의 조처를 내렸다. 실제로 2002년 화성캠퍼스 11라인에선 업계 최초 300㎜ 웨이퍼 양산이 시작됐고, 이후 생산량 증가에 힘입어 삼성전자는 결국 세계 반도체 1위 기업으로 도약했다.

삼성전자는 초격차 기술 경쟁력 강화를 위해 최근 데이터센터의 메모리 반도체 성능을 높여주는 ‘컴퓨트익스프레스링크(CXL)’ 선점에 공을 들이고 있다. AI 반도체에 들어가는 그래픽처리장치(GPU), 중앙처리장치(CPU)를 메모리와 효율적으로 연결해 연산 속도를 높이는 기술로 고대역폭메모리(HBM) 이후 반도체 기업들이 경쟁할 분야 중 하나로 꼽힌다. 이외에도 파운드리(위탁생산) 부문에서 선단 공정 사업을 확대할 방침이다. 특히 초격차 기술 핵심인 게이트올어라운드(GAA) 3㎚(1㎚는 10억 분의 1m) 2세대 공정 본격 양산을 통해 올해 시장 성장률을 웃도는 매출 신장을 겨냥, 하반기에도 AI와 고성능 컴퓨팅 분야 수주를 늘려나간다는 계획이다.

김성훈 기자 powerkimsh@munhwa.com

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