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■ 산업스파이 솜방망이 처벌 논란

중국에 반도체 공장설계도 유출
엔지니어 200여 명도 빼내가

5년간 반도체 기술 유출 24건
“보석금지 특례조항 둬야” 지적

반도체 등 국가 핵심 전략 기술이 해외로 빈번하게 유출되고 있지만 정작 산업스파이 등 범법자들에 대한 처벌은 지나치게 관대해 논란을 낳고 있다. 업계와 전문가들은 기술 유출 범죄에 대한 경각심을 높이는 특단의 대책 없이는 더 큰 피해와 부작용을 낳을 것으로 우려하고 있다.

15일 반도체 업계, 검찰에 따르면 삼성전자 반도체 공장 설계도를 중국에 유출한 혐의로 지난 6월 구속 기소돼 수감 중이던 삼성전자 전 상무 C 씨가 지난 10일 보석금 5000만 원을 내고 풀려났다. 수원지법은 출국 금지 상태로 방어권 보장을 위해 불구속 상태에서 재판을 받게 해 달라는 C 씨의 보석 요청을 받아줬다.

C 씨는 삼성전자 반도체 부문에서 상무로 재직한 전문가로, 하이닉스반도체에서 부사장, 대학에서 반도체 관련 학과 교수까지 지냈다. 검찰 수사 결과, 그는 퇴직 후 싱가포르에 반도체 컨설팅 업체를 설립하고, 대만 기업인 폭스콘으로부터 약 8조 원을 투자받아 중국에 삼성전자 반도체 공장 설계도를 기반으로 한 ‘복제 공장’을 세우려고 했다. 이 계획은 막판에 무산됐지만, C 씨는 곧바로 중국 청두(成都)시로부터 4600억 원을 투자받아 합작회사를 차리고, 삼성전자 반도체 공장 설계도를 기반으로 시제품을 생산하는 공장을 실제 설립했다. 현재 이곳에서는 삼성전자 기술을 활용한 20나노급 D램 반도체가 생산되고 있는 것으로 알려졌다. 업계에서는 단순히 공장 설계도뿐만 아니라, 20나노급 반도체 생산에 필요한 핵심 공정 기술들이 통째로 유출된 것으로 추정하고 있다. C 씨는 설계도뿐 아니라 불법 헤드헌팅사를 통해 삼성전자와 하이닉스 등 국내 반도체 엔지니어 200여 명을 채용하기도 했다. 이는 산업 인재 유출로는 역대 최대 규모다. 검찰은 C 씨의 범행으로 삼성전자 등 국내 기업이 최소 3000억 원의 피해를 봤으며, 향후 피해 금액이 수조 원에 달할 수 있을 것으로 보고 있다.

국가정보원 조사를 보면 최근 5년간 첨단 기술인 반도체 부문의 핵심 기술 유출이 24건, 디스플레이 분야는 20건에 달하는 등 국가 핵심 기술 유출은 갈수록 심각해지고 있지만 처벌 수위는 낮다. 산업기술보호법상 기술 유출 처벌은 15년 이하의 징역이나 15억 원 이하의 벌금이지만, 대법원의 현행 양형 기준은 1년∼3년 6월에 그치고 있다. 반면 미국은 피해액에 따라서는 최대 405개월(33년 9개월)의 징역형까지 처한다. 대만은 5년 이상 12년 이하의 징역이나 1억 위안(약 42억 원) 이하의 벌금을 부과하고 있다. 이규복 반도체공학회장은 “반도체 산업은 사람이 핵심으로 국가 핵심 기술 차원에서 보호해야 하는데 이런 ‘솜방망이’ 처벌로는 보호가 어렵다”며 “국가 산업을 저해하는 경우는 보석 등이 안 되게 하는 특례조항을 둘 필요가 있다”고 말했다.

임대환·이승주 기자