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12나노급 32Gb DDR5 D램
기존보다 소비전력 10% 개선
기술력으로 불황돌파 승부수

삼성전자가 업계 최초로 12나노급 32기가비트(Gb) DDR5 D램(사진)을 개발하는 데 성공했다. 32Gb는 D램 단일 칩 기준으로 역대 최대 용량이다. 삼성전자는 연내 양산에 돌입한다는 방침이다. 이번 개발로 40년 만에 D램의 용량을 50만 배 늘리는 성과를 거둔 삼성전자는 인공지능(AI)시대를 맞아 수요가 폭발할 것으로 예상되는 고용량 차세대 D램 시장에서 기술 주도권을 공고히 한다는 전략이다. 반도체 시장이 불황의 터널을 통과 중인 가운데, 높은 기술력을 통해 불황 돌파라는 정면 승부수를 띄운 것으로 풀이된다.

삼성전자는 지난 5월 16Gb DDR5 D램을 양산한 데 이어 업계 최대 용량 32Gb DDR5 D램 개발에 성공했다고 1일 밝혔다. 이번 32Gb 제품은 동일 패키지 사이즈에서 아키텍처 개선을 통해 16Gb D램 대비 2배 용량을 구현한 것으로, 128기가바이트(GB) 모듈을 TSV 공정 없이 제작할 수 있다. D램을 연결하는 첨단 패키징 기술인 TSV 공정은 그간 128GB 같은 고용량 모듈 구현에 필수였으나 삼성전자는 기술 개발을 통해 이 같은 공정을 뛰어넘었다.

삼성전자 관계자는 “공정 효율화가 극대화됐다는 의미”라면서 “동일 128GB 모듈 기준, 16Gb D램을 탑재한 모듈 대비 약 10% 소비 전력 개선이 가능해 데이터센터 등 전력 효율을 중요시하는 정보기술(IT) 기업들에 최적의 솔루션이 될 것으로 기대된다”고 설명했다.

삼성전자는 이번 12나노급 32Gb DDR5 D램 개발을 통해 고용량 D램 라인업을 지속해서 확대할 계획이다. 이를 통해 최근 생성형 AI의 발달로 고용량 D램의 폭증이 예상되는 시장 대응에 나선다는 전략이다. 시장조사기관 IDC에 따르면 서버당 D램 탑재량은 2023년 1.93테라바이트(TB)에서 2027년 3.86TB로 2배 가까이 확대될 전망이다. 업계에서는 이번에 삼성전자가 개발한 32Gb 대용량 D램에 대해 고성능 D램을 원하지만 투자비도 고려해야 하는 기업들의 수요가 클 것으로 예상했다.

황상준 삼성전자 메모리사업부 D램 개발실장(부사장)은 “이번 12나노급 32Gb D램으로 향후 1TB 모듈까지 구현할 수 있는 솔루션을 확보하게 됐다”며 “삼성전자는 앞으로도 차별화된 공정과 설계 기술력으로 메모리 기술의 한계를 극복하겠다”고 밝혔다.

임정환 기자 yom724@munhwa.com