■ 실리콘밸리서 ‘파운드리 포럼’

‘후면 전력공급 기술’ 적용해
새로운 ‘2나노 공정’도 양산
글로벌 반도체대전 주도 포석

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삼성전자가 오는 2027년 파운드리(반도체 위탁생산) 기술 경쟁의 향배를 가를 차세대 초미세 공정인 1.4나노(1나노미터는 10억분의 1m) 도입 작업이 순조롭게 진행되고 있다고 공식 확인했다.

또 반도체 기술경쟁의 ‘게임 체인저’로 기대되는 ‘후면전력공급(BSPDN)’ 기술을 적용한 새로운 2나노 공정(SF2Z)도 같은 해 양산하겠다는 계획도 공개했다. 삼성전자가 대만 TSMC에 빼앗긴 인공지능(AI) 반도체 시장의 주도권을 되찾을 ‘마지막 기회’로 보고 ‘승부수’를 띄운 것이라는 평가가 나온다.

삼성전자는 12일(현지시간) 미국 실리콘밸리에서 ‘삼성 파운드리 포럼 2024’를 열고 이 같은 ‘로드맵’을 공개하며 “2027년 1.4나노 공정 양산을 계획하고 있으며, 목표한 성능과 수율을 확보하고 있다”고 강조했다. 파운드리 시장의 패권을 둘러싼 한국·대만·미국의 치열한 각축전 속에서 지난달 후발주자인 인텔이 업계 2위 탈환 포부를 드러내며 ‘2027년 1.4나노 진입’ 구상을 제시하자, 이를 확실하게 불식시키겠다는 의지를 밝힌 것으로 풀이된다. 업계 1위 TSMC도 2027년 1.4나노 공정을 통한 생산 계획을 밝힌 바 있다. 고성능 AI 반도체 제조를 위한 기술 고도화 구상도 제시됐다. 특히 2027년까지 BSPDN 기술을 적용한 새로운 2나노 공정 ‘SF2Z’를 양산하겠다는 목표가 주목을 받았다. BSPDN은 2나노 이하 초미세 공정 경쟁의 판도를 바꾸는 핵심 기술로 평가받고 있다. 전류 배선층을 웨이퍼 후면에 배치해 전력과 신호라인의 병목 현상을 개선하고, 전력 소비를 줄이는 효과를 낼 수 있다.

최시영 사장은 기조연설에서 “AI 시대에 가장 알맞은 파운드리가 되겠다”고 강조했다. 송태중 파운드리 사업부 상무도 미디어 설명회에서 “2028년 AI 칩 관련 매출이 지난해 대비 9배로 증가할 것으로 예상한다”고 밝혔다.

김성훈 기자 powerkimsh@munhwa.com